ёмкость запирающего слоя — — [А.С.Гольдберг. Англо русский энергетический словарь. 2006 г.] Тематики энергетика в целом EN barrier layer capacity … Справочник технического переводчика
Sperrschichtkapazität — užtvarinio sluoksnio talpa statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. barrier layer capacitance vok. Übergangskapazität, f; Sperrschichtkapazität, f rus. ёмкость запирающего слоя, f pranc. capacité de couche d’arrêt, f; capacité de couche de… … Fizikos terminų žodynas
barrier layer capacitance — užtvarinio sluoksnio talpa statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. barrier layer capacitance vok. Übergangskapazität, f; Sperrschichtkapazität, f rus. ёмкость запирающего слоя, f pranc. capacité de couche d’arrêt, f; capacité de couche de… … Fizikos terminų žodynas
capacité de couche de barrage — užtvarinio sluoksnio talpa statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. barrier layer capacitance vok. Übergangskapazität, f; Sperrschichtkapazität, f rus. ёмкость запирающего слоя, f pranc. capacité de couche d’arrêt, f; capacité de couche de… … Fizikos terminų žodynas
capacité de couche d’arrêt — užtvarinio sluoksnio talpa statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. barrier layer capacitance vok. Übergangskapazität, f; Sperrschichtkapazität, f rus. ёмкость запирающего слоя, f pranc. capacité de couche d’arrêt, f; capacité de couche de… … Fizikos terminų žodynas
užtvarinio sluoksnio talpa — statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. barrier layer capacitance vok. Übergangskapazität, f; Sperrschichtkapazität, f rus. ёмкость запирающего слоя, f pranc. capacité de couche d’arrêt, f; capacité de couche de barrage, f … Fizikos terminų žodynas
Übergangskapazität — užtvarinio sluoksnio talpa statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. barrier layer capacitance vok. Übergangskapazität, f; Sperrschichtkapazität, f rus. ёмкость запирающего слоя, f pranc. capacité de couche d’arrêt, f; capacité de couche de… … Fizikos terminų žodynas
ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД — (Эсаки диод) полупроводниковый диод, содержащий p n переход с очень малой толщиной запирающего слоя. Действие Т. д. основано на прохождении свободных носителей заряда (электронов) сквозь узкий потенц. барьер благодаря квантовомеханич. процессу… … Физическая энциклопедия
Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги выводы коллектора и эми … Википедия
